大主宰天蚕土豆,已完本玄幻小说排行榜

2025-08-13

半導(dǎo)體封裝技術(shù)（二）

半導(dǎo)體封裝技術(shù)（二）

半導(dǎo)體封裝技術(shù)（二）

在高溫或低溫高濕強(qiáng)沖擊等惡劣環(huán)境下使用時(shí)，由于它具有優(yōu)異的氣密特性以及空...

在高溫或低溫高濕強(qiáng)沖擊等惡劣環(huán)境下使用時(shí)，由于它具有優(yōu)異的氣密特性以及空...

在高溫或低溫高濕強(qiáng)沖擊等惡劣環(huán)境下使用時(shí)，由于它具有優(yōu)異的氣密特性以及空...
2025-08-08

半導(dǎo)體封裝技術(shù)（一）

半導(dǎo)體封裝技術(shù)（一）

半導(dǎo)體封裝技術(shù)（一）

電性能寄生電感電阻和電容大，信號(hào)傳輸慢寄生電感電阻和電容小，傳輸快4自動(dòng)...

電性能寄生電感電阻和電容大，信號(hào)傳輸慢寄生電感電阻和電容小，傳輸快4自動(dòng)...

電性能寄生電感電阻和電容大，信號(hào)傳輸慢寄生電感電阻和電容小，傳輸快4自動(dòng)...
2025-07-28

半導(dǎo)體四大工藝（四）刻蝕

半導(dǎo)體四大工藝（四）刻蝕

半導(dǎo)體四大工藝（四）刻蝕

但干法刻蝕對(duì)掩蔽層也有一定的刻蝕效果，選擇性(對(duì)目標(biāo)材料與掩蔽層的刻蝕速...

但干法刻蝕對(duì)掩蔽層也有一定的刻蝕效果，選擇性(對(duì)目標(biāo)材料與掩蔽層的刻蝕速...

但干法刻蝕對(duì)掩蔽層也有一定的刻蝕效果，選擇性(對(duì)目標(biāo)材料與掩蔽層的刻蝕速...
2025-07-25

半導(dǎo)體四大工藝（三）鍍膜

半導(dǎo)體四大工藝（三）鍍膜

半導(dǎo)體四大工藝（三）鍍膜

它利用外加磁場(chǎng)使離子的運(yùn)動(dòng)軌跡由直線變成繞磁場(chǎng)方向螺旋前進(jìn)的曲線，延長(zhǎng)了...

它利用外加磁場(chǎng)使離子的運(yùn)動(dòng)軌跡由直線變成繞磁場(chǎng)方向螺旋前進(jìn)的曲線，延長(zhǎng)了...

它利用外加磁場(chǎng)使離子的運(yùn)動(dòng)軌跡由直線變成繞磁場(chǎng)方向螺旋前進(jìn)的曲線，延長(zhǎng)了...
2025-07-18

半導(dǎo)體四大工藝（二）摻雜

半導(dǎo)體四大工藝（二）摻雜

半導(dǎo)體四大工藝（二）摻雜

值得注意的是，在基片是單晶的情況下，若離子注入的方向與基片的晶向平行，將...

值得注意的是，在基片是單晶的情況下，若離子注入的方向與基片的晶向平行，將...

值得注意的是，在基片是單晶的情況下，若離子注入的方向與基片的晶向平行，將...
2025-07-11

半導(dǎo)體四大工藝（一）光刻

半導(dǎo)體四大工藝（一）光刻

半導(dǎo)體四大工藝（一）光刻

光刻技術(shù)使用的光源對(duì)圖形精度有直接的影響，光源類型一般有紫外深紫外X射線...

光刻技術(shù)使用的光源對(duì)圖形精度有直接的影響，光源類型一般有紫外深紫外X射線...

光刻技術(shù)使用的光源對(duì)圖形精度有直接的影響，光源類型一般有紫外深紫外X射線...
2025-07-04

先進(jìn)封裝主要技術(shù)

先進(jìn)封裝主要技術(shù)

先進(jìn)封裝主要技術(shù)

用微凸塊和硅穿孔工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)引線鍵合，將不同功能的芯片堆疊在同一個(gè)硅中介...

用微凸塊和硅穿孔工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)引線鍵合，將不同功能的芯片堆疊在同一個(gè)硅中介...

用微凸塊和硅穿孔工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)引線鍵合，將不同功能的芯片堆疊在同一個(gè)硅中介...
2025-06-27

EUV光刻機(jī)

EUV光刻機(jī)

EUV光刻機(jī)

該國(guó)目前不允許進(jìn)口EUV光刻機(jī)，因此考慮將自由電子激光器作為其自主研發(fā)先...

該國(guó)目前不允許進(jìn)口EUV光刻機(jī)，因此考慮將自由電子激光器作為其自主研發(fā)先...

該國(guó)目前不允許進(jìn)口EUV光刻機(jī)，因此考慮將自由電子激光器作為其自主研發(fā)先...
2025-06-20

H2與H5檢測(cè)的區(qū)別

H2與H5檢測(cè)的區(qū)別

H2與H5檢測(cè)的區(qū)別

但是對(duì)于一些二手U盤TF卡，或者已經(jīng)幾次使用和格式化過(guò)的盤來(lái)說(shuō)，其盤上數(shù)...

但是對(duì)于一些二手U盤TF卡，或者已經(jīng)幾次使用和格式化過(guò)的盤來(lái)說(shuō)，其盤上數(shù)...

但是對(duì)于一些二手U盤TF卡，或者已經(jīng)幾次使用和格式化過(guò)的盤來(lái)說(shuō)，其盤上數(shù)...
2025-06-13

硬盤的格式化：高格與低格

硬盤的格式化：高格與低格

硬盤的格式化：高格與低格

高級(jí)格式化是根據(jù)一定的分區(qū)格式對(duì)磁盤進(jìn)行標(biāo)記，生成引導(dǎo)區(qū)信息初始化空間分...

高級(jí)格式化是根據(jù)一定的分區(qū)格式對(duì)磁盤進(jìn)行標(biāo)記，生成引導(dǎo)區(qū)信息初始化空間分...

高級(jí)格式化是根據(jù)一定的分區(qū)格式對(duì)磁盤進(jìn)行標(biāo)記，生成引導(dǎo)區(qū)信息初始化空間分...
2025-06-03

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料領(lǐng)域介紹（二）

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料領(lǐng)域介紹（二）

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料領(lǐng)域介紹（二）

光刻膠用于光刻工藝，在曝光后通過(guò)顯影形成圖形化的抗蝕涂層，隨后通過(guò)刻蝕或...

光刻膠用于光刻工藝，在曝光后通過(guò)顯影形成圖形化的抗蝕涂層，隨后通過(guò)刻蝕或...

光刻膠用于光刻工藝，在曝光后通過(guò)顯影形成圖形化的抗蝕涂層，隨后通過(guò)刻蝕或...
2025-05-30

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料領(lǐng)域介紹（一）

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料領(lǐng)域介紹（一）

半導(dǎo)體關(guān)鍵材料領(lǐng)域介紹（一）

其中，晶圓制造材料通常指的是在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過(guò)程中使用的材料，包括半導(dǎo)...

其中，晶圓制造材料通常指的是在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過(guò)程中使用的材料，包括半導(dǎo)...

其中，晶圓制造材料通常指的是在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過(guò)程中使用的材料，包括半導(dǎo)...
2025-05-22

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片

NORFlash屬于代碼型閃存芯片，是嵌入式存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域主要的應(yīng)用技術(shù)之...

NORFlash屬于代碼型閃存芯片，是嵌入式存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域主要的應(yīng)用技術(shù)之...

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2025-05-13

什么是存儲(chǔ)芯片

什么是存儲(chǔ)芯片

什么是存儲(chǔ)芯片

ROM只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是只能讀出而不能寫入信息，通常在電腦主板的ROM里...

ROM只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是只能讀出而不能寫入信息，通常在電腦主板的ROM里...

ROM只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是只能讀出而不能寫入信息，通常在電腦主板的ROM里...
2025-05-09

存儲(chǔ)顆粒的級(jí)別

存儲(chǔ)顆粒的級(jí)別

存儲(chǔ)顆粒的級(jí)別

在封裝之后的再次嚴(yán)格檢測(cè)時(shí)沒(méi)有通過(guò)的顆粒，由于達(dá)不到原廠的要求，但是達(dá)到...

在封裝之后的再次嚴(yán)格檢測(cè)時(shí)沒(méi)有通過(guò)的顆粒，由于達(dá)不到原廠的要求，但是達(dá)到...

在封裝之后的再次嚴(yán)格檢測(cè)時(shí)沒(méi)有通過(guò)的顆粒，由于達(dá)不到原廠的要求，但是達(dá)到...
2025-04-28

芯片封測(cè)工藝介紹

芯片封測(cè)工藝介紹

芯片封測(cè)工藝介紹

扇入型直接在晶圓上進(jìn)行封裝，封裝完成后進(jìn)行切割，布線均在芯片尺寸內(nèi)完成，...

扇入型直接在晶圓上進(jìn)行封裝，封裝完成后進(jìn)行切割，布線均在芯片尺寸內(nèi)完成，...

扇入型直接在晶圓上進(jìn)行封裝，封裝完成后進(jìn)行切割，布線均在芯片尺寸內(nèi)完成，...
2025-04-24

晶圓的劃片工藝流程

晶圓的劃片工藝流程

晶圓的劃片工藝流程

與背面減薄過(guò)程中膠膜貼在晶圓正面不同，刀片切割時(shí)膠膜要貼在晶圓背面，而在...

與背面減薄過(guò)程中膠膜貼在晶圓正面不同，刀片切割時(shí)膠膜要貼在晶圓背面，而在...

與背面減薄過(guò)程中膠膜貼在晶圓正面不同，刀片切割時(shí)膠膜要貼在晶圓背面，而在...
2025-04-14

為什么QLC閃存將成為主流

為什么QLC閃存將成為主流

為什么QLC閃存將成為主流

傳統(tǒng)NANDFlash采用平面設(shè)計(jì)，而3DNAND是以則由原本平鋪的存儲(chǔ)...

傳統(tǒng)NANDFlash采用平面設(shè)計(jì)，而3DNAND是以則由原本平鋪的存儲(chǔ)...

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2025-04-09

SLC、MLC、TLC、QLC全解析

SLC、MLC、TLC、QLC全解析

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數(shù)據(jù)中心冷數(shù)據(jù)家庭影音庫(kù)AI訓(xùn)練集存儲(chǔ)等大容量冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

數(shù)據(jù)中心冷數(shù)據(jù)家庭影音庫(kù)AI訓(xùn)練集存儲(chǔ)等大容量冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

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2025-03-28

閃存存儲(chǔ)器介紹

閃存存儲(chǔ)器介紹

閃存存儲(chǔ)器介紹

由于存儲(chǔ)單元只能在一個(gè)平面上布置，隨著存儲(chǔ)容量的增加，每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積...

由于存儲(chǔ)單元只能在一個(gè)平面上布置，隨著存儲(chǔ)容量的增加，每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積...

由于存儲(chǔ)單元只能在一個(gè)平面上布置，隨著存儲(chǔ)容量的增加，每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積...

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