傳統(tǒng) Flash采用平面設(shè)計(jì)，而3D NAND是以則由原本平鋪的存儲(chǔ)單元所堆疊而成，由傳統(tǒng)單層存儲(chǔ)提升至高達(dá)上百層的堆疊，讓其存儲(chǔ)容量相較于傳統(tǒng)2D NAND Flash有了大幅提升。QLC（Quad-Level Cell，四層單元）擦寫僅100-1000次，但3D NAND的出現(xiàn)，使得壽命提升至1500次以上。2024年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)QLC 擦寫壽命突破4000次?，F(xiàn)有的QLC層數(shù)也從24層（由三星于2013年正式推出）發(fā)展到321層（海力士于2025年開(kāi)始量產(chǎn)）。而300+層3D堆疊技術(shù)預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)，QLC壽命有望突破5000次。

其次，主控芯片的性能也有大幅提升。聯(lián)蕓MAP1602芯片+4通道設(shè)計(jì)，可以使QLC順序讀寫提高到12.4GB/s，緩解了速度短板，同時(shí)國(guó)產(chǎn)主控技術(shù)突破推動(dòng)QLC成本進(jìn)一步下降，加速消費(fèi)級(jí)普及。

此外，AI訓(xùn)練所需的海量非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求也推動(dòng)了HBM擴(kuò)產(chǎn)。微軟Azure部分冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案采用QLC SSD，結(jié)合綠色數(shù)據(jù)中心戰(zhàn)略降低單位存儲(chǔ)能耗。戴爾推出全新的PowerStore Prime, 實(shí)現(xiàn)了多重性能提升，能夠以更低的成本提供企業(yè)級(jí)性能，在全存儲(chǔ)領(lǐng)域業(yè)界領(lǐng)先。

更為先進(jìn)的PLC（Penta-Level Cell，五層單元）正在研發(fā)，因此QLC也將是未來(lái)五年的性價(jià)比天花板。