Flash是一種非易失性存儲設備(Non-volatile Memory Device)，即使斷電也能保留數據。由于具備高密度、制作成本比較低等優(yōu)勢，目前的eMMC、、硬盤大量采用了NAND Flash顆粒。

NAND Flash閃存技術類型有 SLC(2bit)、MLC(4bit)、TLC(8bit)、QLC(16bit)。

一、SLC（Single-Level Cell | 單層單元）

1. 原理

每個單元僅存儲1位數據，電壓狀態(tài)只有 0和1（非黑即白）。

2. 特性：

? 讀寫延遲＜25μs，企業(yè)級SSD首選。

? 擦寫壽命 10萬次+（每天寫100GB，能用27年?。?。

? 單價約 $0.37/GB，是QLC的10倍！

3. 適用場景

航天設備、醫(yī)療CT機、高頻交易服務器等對可靠性要求極高的領域。

二、MLC（Multi-Level Cell | 多層單元）

1. 原理

每個單元存2位數據，電壓分 4種狀態(tài)（類似00/01/10/11）。

2. 特性：

? 擦寫壽命3000-10000次，價格是SLC的1/3。

? 2023年市占率僅2%，逐漸被TLC替代。

3. 適用場景

早期高端游戲盤、企業(yè)級數據庫（現多被3D TLC取代）。 現多見于特殊工業(yè)設備（存量市場）。

三、TLC（Triple-Level Cell | 三層單元）

1. 原理：

每個單元存儲3位數據，電壓分 8種狀態(tài)，靠算法糾錯來保障準確性。

2. 特性：

? 單價 $0.08/GB，擦寫壽命 500-3000次（普通用戶夠用5年+）。

? 配合SLC緩存，讀寫速度沖上7000MB/s！

3. 適用場景：

主流筆記本、PS5游戲盤、4K視頻剪輯存儲等消費級設備及中端企業(yè)存儲。

四、QLC（Quad-Level Cell | 四層單元）

1. 原理：

每個單元存儲4位數據，電壓分 16種狀態(tài)（精細如頭發(fā)絲?。夹g復雜度最高。

2. 特性：

? 比TLC多33%容量，8TB SSD價格低至2000元內！

? 擦寫僅 100-1000次，但3D堆疊技術救場（可提升壽命至1500次+）。

3. 適用場景：

數據中心冷數據、家庭影音庫、AI訓練集存儲等大容量冷數據存儲。

從SLC到QLC，存儲技術始終在容量、速度、壽命、成本之間尋找平衡。普通用戶無需追求極致參數，按需選擇才是最優(yōu)解。