二、光刻膠：半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠，國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步突破

光刻膠是半導(dǎo)體光刻工藝中最重要的關(guān)鍵材料，是半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠。光刻工藝是半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的核心工藝，包括涂膠、曝光、顯影等步驟。光刻膠也叫光致抗蝕劑，是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體，在光刻工藝過(guò)程中用作抗腐蝕涂層材料。光刻膠用于光刻工藝，在曝光后通過(guò)顯影形成圖形化的抗蝕涂層，隨后通過(guò)刻蝕或離子注入等工藝，將電路圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面，從而實(shí)現(xiàn)特定的功能，其光敏度是決定微納圖形的精度之一，光刻膠的質(zhì)量和性能則直接影響制造產(chǎn)線的良率，因此光刻膠的重要性凸顯，是泛半導(dǎo)體行業(yè)的核心材料。

光刻膠按其形成的圖像分類，可分為正性、負(fù)性兩大類。正性光刻膠在曝光后，受光區(qū)域變得可溶于顯影液，被去除，形成的圖形與掩膜圖形一致；而負(fù)性光刻膠在曝光后，受光區(qū)域發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，變得不溶于顯影液，未曝光區(qū)域被去除，最終圖形與掩膜圖形相反。一般來(lái)說(shuō)，正性光刻膠適用于高分辨率場(chǎng)景，負(fù)性光刻膠則適用于需要較高附著力和軟薄膜厚度的情況。

按照下游應(yīng)用領(lǐng)域劃分，光刻膠可分為PCB光刻膠、顯示面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠等，生產(chǎn)難度依次遞減。

PCB 光刻膠：可分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠和阻焊油墨。其中，干膜光刻膠通過(guò)加熱加壓的方式壓合在覆銅板上，經(jīng)過(guò)曝光和顯影過(guò)程，將電路圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再利用其抗蝕刻性能進(jìn)行蝕刻加工，最終形成印制電路板的精細(xì)銅線路。濕膜光刻膠則以液態(tài)形式直接涂敷在基材表面，具有分辨率高、成本低的特點(diǎn)，適用于高精度要求的應(yīng)用場(chǎng)景。近年來(lái)，受益全球PCB產(chǎn)業(yè)持續(xù)向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，我國(guó)成為全球最大的PCB光刻膠生產(chǎn)國(guó)之一，并逐步積累了充足的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在濕膜光刻膠等產(chǎn)品上已實(shí)現(xiàn)較大規(guī)模的國(guó)產(chǎn)替代，逐步減少對(duì)進(jìn)口產(chǎn)品的依賴。具備較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。 顯示面板光刻膠：光刻工藝同樣也是顯示面板制造（LCD、OLED等）的核心工藝，顯示面板光刻膠是一種專門(mén)用于顯示面板制造過(guò)程中光刻工藝的感光材料。它通過(guò)光照（通常是紫外光）和顯影工藝，在顯示面板基板（如玻璃或柔性基板）上形成微米級(jí)的精細(xì)圖案，用于定義像素結(jié)構(gòu)、電路圖案、彩色濾光片或黑矩陣等關(guān)鍵部件。顯示面板光刻膠需要具有高分辨率、良好的附著力和化學(xué)穩(wěn)定性，以滿足顯示面板高精度和多層復(fù)雜結(jié)構(gòu)的制造需求，是顯示技術(shù)中不可或缺的關(guān)鍵材料。按顯示應(yīng)用分類，顯示面板可分為T(mén)FT-LCD正性光刻膠，彩色/黑色光刻膠等、觸屏光刻膠等。三類顯示面板光刻膠被應(yīng)用在顯示面板制造過(guò)程的不同工序中。TFT-LCD光刻膠用于加工液晶面板前段Array制程中的微細(xì)圖形電極；彩色光刻膠和黑色光刻膠用于制造顯示面板中的彩色濾光片；觸摸屏光刻膠用于制作觸摸電極。平板顯示器中TFT-LCD是市場(chǎng)的主流，彩色濾光片是TFT-LCD實(shí)現(xiàn)彩色顯示的關(guān)鍵器件。 

半導(dǎo)體光刻膠：半導(dǎo)體光刻膠應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的光刻工藝中，用于將電路設(shè)計(jì)圖形從掩膜版精確轉(zhuǎn)移到硅片表面。根據(jù)曝光波長(zhǎng)的不同，半導(dǎo)體光刻膠可分為紫外光譜、g線、i線、Krf、ArF和EUV等類型。通常來(lái)說(shuō)，曝光波長(zhǎng)越短，則加工分辨率越高，能夠形成更小尺寸的精細(xì)圖案。隨著高集成度、超高速、超高頻集成電路及元器件的開(kāi)發(fā)，集成電路與元器件特征尺寸呈現(xiàn)出越來(lái)越精細(xì)的趨勢(shì)，加工尺寸達(dá)到百納米直至納米級(jí)，光刻設(shè)備和光刻膠產(chǎn)品也為滿足超微細(xì)電子線路圖形的加工應(yīng)用而推陳出新。為適應(yīng)集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠的曝光波長(zhǎng)由紫外寬譜向g線（436nm）→i線（365nm）→KrF（248nm）→ArF(193nm)→EUV（13.5nm）的方向轉(zhuǎn)移，并通過(guò)分辨率增強(qiáng)技術(shù)不斷提升光刻膠的分辨率水平，而紫外寬譜光刻膠更多應(yīng)用于分立器件。相比PCB光刻膠和顯示面板光刻膠，半導(dǎo)體光刻膠（尤其是KrF、ArF和EUV光刻膠）技術(shù)壁壘更高，研發(fā)投入更大，且附加值顯著高于其他品類光刻膠。隨著AI驅(qū)動(dòng)芯片工藝制程不斷向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)推進(jìn)，對(duì)高端光刻膠（如深紫外光刻膠和極紫外光刻膠）的需求顯著增加，先進(jìn)制程比例提升也驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模增速高于其他細(xì)分市場(chǎng)。據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2021年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)整體規(guī)模達(dá)到24.71億美元，2015-2021 年 CAGR 為12.03%。其中，ArF光刻膠是集成電路制造需求金額最大的光刻膠產(chǎn)品，占半導(dǎo)體光刻膠比重超過(guò)50%。

半導(dǎo)體光刻膠國(guó)產(chǎn)化率較低，但國(guó)內(nèi)企業(yè)正逐步突破。光刻膠作為光刻工藝的核心，對(duì)配方研發(fā)及生產(chǎn)工藝的要求極高，此外由于下游不同客戶的需求差異明顯，即使對(duì)于同一客戶，應(yīng)用需求也不一致，這導(dǎo)致光刻膠的整體生產(chǎn)缺乏統(tǒng)一的工藝，使得每一類光刻膠所使用的原料在化學(xué)結(jié)構(gòu)、性能上均有所差別，要求制造商根據(jù)差異化設(shè)計(jì)不同配方，并由相應(yīng)的生產(chǎn)工藝完成生產(chǎn)。相對(duì)應(yīng)而言，我國(guó)在生產(chǎn)難度較低的PCB 光刻膠領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代最快，而在中高端領(lǐng)域的顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠國(guó)產(chǎn)化率極低，尤其是在中高端本土DUV市場(chǎng)被日本巨頭壟斷，而對(duì)于更高端的EUV光刻膠市場(chǎng)，本土企業(yè)仍處于空白狀態(tài)。