(1)等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)
PECVD是化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)鍍膜方法的其中一種，此外還有另外兩種，分別是常壓CVD(atmospheric pressure CVD, APCVD)與低壓CVD(low pressure CVD, LPCVD)。
目前，PECVD是三種類型中應用較為廣泛的，PECVD利用射頻(radio frequency, RF)等離子體引發(fā)和保持化學變化，而且該化學變化在非高溫環(huán)境下就可以進行，所以薄膜沉積溫度低，沉積速率高。
這種方式得到的薄膜具有突出的附著性與電學性質,很低的微孔密度、很高的均勻性以及較強的小尺寸填充能力。
影響PECVD鍍膜質量的因素有襯底溫度、氣流速度、氣壓、RF功率和頻率等。
(2)濺射
濺射是一種物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)鍍膜方法。帶電離子[一般為氬離子(Ar+)]在電場中加速后具備了一定的動能，它們被引向目標靶材并碰撞
靶分子，使其脫離靶材而得以濺射出來，這些分子也帶有一定強度的動能，它們向襯底方向運動并在襯底上沉積。
常用的濺射電源有直流和射頻兩種，直流濺射可直接應用于金屬等導電性良好的材料，而對于絕緣體材料，則只能通過射頻濺射的方式才能實現鍍膜。
普通濺射的沉積速率較低，工作氣壓較高，所鍍薄膜的質量不佳，磁控濺射的出現較為理想地解決了這個問題。它利用外加磁場使離子的運動軌跡由直線變成繞磁場方向螺旋前進的曲線，延長了離子的運動軌跡，提升了與靶分子的碰撞效率，也即提升了濺射效率，使沉積速率升高，工作氣壓降低，因而鍍膜質量得到了很大的提升。
