全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來歷史性時刻！光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）在最新公布的2025年第二季度財報中確認(rèn)，本季度已成功發(fā)運(yùn)全球首臺頂級高數(shù)值孔徑（High NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)——TWINSCAN EXE:5200B。這一里程碑式交付，標(biāo)志著半導(dǎo)體制造技術(shù)正式邁入全新紀(jì)元，為未來2納米及更先進(jìn)制程芯片量產(chǎn)奠定基石。

財報數(shù)據(jù)同樣亮眼：當(dāng)季ASML實(shí)現(xiàn)凈銷售額77億歐元，落在公司預(yù)測區(qū)間的高位；毛利率高達(dá)53.7%，超出預(yù)期。強(qiáng)勁表現(xiàn)主要源于裝機(jī)售后升級服務(wù)的增長及非經(jīng)常性成本下降。凈利潤達(dá)到23億歐元，新增訂單金額為55億歐元，其中23億歐元為關(guān)鍵EUV設(shè)備訂單。

ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮強(qiáng)調(diào)：“光刻機(jī)投資在晶圓廠支出中占比持續(xù)強(qiáng)勁，尤其在DRAM領(lǐng)域。最新推出的NXE:3800E及High NA EUV技術(shù)的按計劃推進(jìn)，正有力鞏固這一趨勢。”首臺High NA光刻機(jī)的成功交付，是推動行業(yè)向更精細(xì)制程進(jìn)發(fā)的核心引擎。

技術(shù)跨越： High NA技術(shù)將EUV光刻數(shù)值孔徑從0.33提升至0.55，顯著提高分辨率和套刻精度，是突破2納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵。

行業(yè)加速： 新系統(tǒng)將賦能芯片制造商攻克物理極限，生產(chǎn)更小、更快、能效比更高的尖端芯片，為人工智能、高性能計算等領(lǐng)域注入澎湃動力。

對于中國市場，傅恪禮表示：“基于現(xiàn)有未交付訂單情況，我們預(yù)計中國市場營收占比將穩(wěn)定超過25%?！边@凸顯中國在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵地位及持續(xù)投入。

展望未來，ASML預(yù)計第三季度凈銷售額在74億至79億歐元之間，毛利率介于50%-52%，裝機(jī)售后服務(wù)的凈銷售額預(yù)計約20億歐元。2025全年，公司目標(biāo)凈銷售額增長約15%，毛利率穩(wěn)定在52%左右。

全球首臺High NA光刻機(jī)的交付，標(biāo)志著人類向2納米以下芯片制程邁出關(guān)鍵一步。隨著這臺凝聚頂尖科技的設(shè)備進(jìn)入客戶晶圓廠，半導(dǎo)體行業(yè)正站在新時代的門檻，等待一場由精密光束引領(lǐng)的深層革命。