美光公布截至2025年5月29日的FY2025Q3財(cái)季(2025年3 - 5月)業(yè)績(jī)，該季營(yíng)收93億美元，環(huán)比增長(zhǎng)15%，同比增長(zhǎng)37%；Non-GAAP下，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)24.9億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率由上季度的24.9%回升至26.8%；凈利潤(rùn)21.81億美元，環(huán)比增長(zhǎng)22.3%，同比增長(zhǎng)210.7%。

FY2025Q3財(cái)季(2025年3 - 5月)美光營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，這得益于DRAM業(yè)務(wù)營(yíng)收創(chuàng)歷史新高，其中 HBM 營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近 50%；數(shù)據(jù)中心營(yíng)收同比增長(zhǎng)逾一倍，創(chuàng)季度新高；面向消費(fèi)者的終端市場(chǎng)也實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁的環(huán)比增長(zhǎng)。美光表示，2025財(cái)年有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的營(yíng)收。

具體來(lái)看：DRAM收入70.71億美元，占總收入的76%，環(huán)比增長(zhǎng)15.5%。DRAM Bit出貨量環(huán)比增長(zhǎng)超20%，DRAM ASP環(huán)比下降低個(gè)位數(shù)百分比（1%-3%）。收入21.55億美元，占總收入的23%，環(huán)比增長(zhǎng)16.2%。NAND Bit出貨量環(huán)比增長(zhǎng)約25%，NAND ASP環(huán)比下降高個(gè)位數(shù)百分比（7%-9%）。其他業(yè)務(wù)（主要為NOR）收入7500萬(wàn)美元，占總收入的1%，環(huán)比持平。

FY2025Q3財(cái)季(2025年3月- 5月)美光資本支出凈額為26.6億美元，調(diào)整后自由現(xiàn)金流為19.5億美元。美光本季度末持有現(xiàn)金、可流通投資及限制性現(xiàn)金共計(jì)122.2億美元。2025 財(cái)年的資本支出仍約為 140 億美元，重點(diǎn)用于 HBM、設(shè)施建設(shè)、后端制造和研發(fā)投資。美光正以審慎態(tài)度推進(jìn)全球生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)投資，確保產(chǎn)能建設(shè)與長(zhǎng)期需求相匹配。

美光在1-gamma DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)已取得顯著進(jìn)展，其良率提升速度甚至超過(guò)了此前1-beta節(jié)點(diǎn)創(chuàng)下的紀(jì)錄。該季度美光完成了多項(xiàng)關(guān)鍵產(chǎn)品里程碑，包括基于1-gamma的LPDDR5 DRAM首批認(rèn)證樣品的出貨。美光1-gamma DRAM采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，相比1-beta節(jié)點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)位元密度提升30%，功耗降低20%以上，性能最高提升15%。美光將把1-gamma技術(shù)應(yīng)用于整個(gè)DRAM產(chǎn)品組合，充分發(fā)揮這一領(lǐng)先技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

美光的尖端DRAM節(jié)點(diǎn)（例如 1 beta 和 1 gamma）專(zhuān)注于最新一代產(chǎn)品，例如 DDR5、LPDDR5 和 HBM。DDR4 和 LPDDR4主要采用1-alpha DRAM 節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)。美光幾個(gè)月前已向移動(dòng)、客戶端、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)等高容量細(xì)分市場(chǎng)的客戶發(fā)送了DDR4 和 LPDDR4的停產(chǎn)通知，最終發(fā)貨時(shí)間將在兩到三個(gè)季度后。

短期內(nèi)，大批量市場(chǎng)的客戶開(kāi)始發(fā)現(xiàn)DDR4產(chǎn)品的短缺日益加劇。目前停產(chǎn)過(guò)渡正在進(jìn)行中，美光正在分配剩余的 DDR4 供應(yīng)。美光計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)繼續(xù)供應(yīng)這些 1-alpha DRAM 產(chǎn)品，以支持其在汽車(chē)、工業(yè)、國(guó)防和網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域長(zhǎng)期且需求相對(duì)較低的長(zhǎng)期客戶。美光預(yù)計(jì)DDR4 收入在 2025 財(cái)年下半年的總收入中所占比例僅為個(gè)位數(shù)（非 GAAP）。由于停產(chǎn)，LPDDR4產(chǎn)品的短缺情況也可能加劇。在DDR4和LPDDR4 供應(yīng)受限以及分銷(xiāo)渠道庫(kù)存較低的市場(chǎng)背景下，美光正在推動(dòng)價(jià)格改善。

美光表示，終端市場(chǎng)的客戶庫(kù)存水平總體保持健康，部分客戶可能因關(guān)稅相關(guān)因素而采取了一些措施，客戶表示今年剩余時(shí)間的需求環(huán)境將保持積極，美光也將保持靈活應(yīng)對(duì)宏觀環(huán)境或不斷變化的關(guān)稅相關(guān)形勢(shì)可能帶來(lái)的任何不可預(yù)見(jiàn)的需求變化。

美光表示2025年HBM已售罄，并預(yù)計(jì)2026年HBM bit需求增長(zhǎng)將“大幅超過(guò)”整體 DRAM需求。高效的節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換將導(dǎo)致2025財(cái)年末的NAND晶圓產(chǎn)能較2024財(cái)年末的水平結(jié)構(gòu)性下降 10%。鑒于NAND技術(shù)轉(zhuǎn)型將顯著提高整體bit輸出，美光計(jì)劃以與需求相符的穩(wěn)健速度管理節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換。美光強(qiáng)調(diào)，尖端 NAND 已得到充分利用，而部分傳統(tǒng) NAND 在產(chǎn)能削減后仍未得到充分利用。

美光預(yù)計(jì)，2025年行業(yè)DRAM bit需求增長(zhǎng)率將約達(dá)17-19%，而行業(yè)NAND bit需求增長(zhǎng)率約達(dá)11-13%。美光非HBM DRAM和NAND bit供應(yīng)增長(zhǎng)率將低于行業(yè)bit需求增長(zhǎng)率。

美光預(yù)計(jì)2025財(cái)年第四財(cái)季（2025年6-8月）營(yíng)業(yè)收入將達(dá)104-110億美元，毛利率落在41%-43%區(qū)間。