全球內(nèi)存行業(yè)正式啟動(dòng)下一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)"DDR6"的市場(chǎng)化進(jìn)程。這項(xiàng)旨在突破DDR5物理極限的新技術(shù)，將為高帶寬計(jì)算需求提供全新內(nèi)存平臺(tái)解決方案。

據(jù)業(yè)界消息，三星電子、SK海力士、美光均已完成DDR6規(guī)格的初期原型開發(fā)，正與英特爾、AMD、英偉達(dá)等CPU/GPU廠商共同推進(jìn)平臺(tái)驗(yàn)證。當(dāng)前目標(biāo)性能為8800MT/s，后續(xù)計(jì)劃提升至17600MT/s，達(dá)到現(xiàn)行DDR5最高速度（約8000MT/s）的兩倍以上。

DDR6采用與DDR5完全不同的基礎(chǔ)架構(gòu)。DDR5采用2×32位（64位）通道結(jié)構(gòu)，而DDR6創(chuàng)新性地設(shè)計(jì)為4×24位（96位）配置——通過增加通道數(shù)同時(shí)縮減位寬，在保證高速運(yùn)行信號(hào)完整性的同時(shí)，對(duì)電路設(shè)計(jì)精度提出更高要求。隨著信號(hào)傳輸約束加大，業(yè)界正加速采用CAMM2取代傳統(tǒng)DIMM封裝。這種薄型寬面設(shè)計(jì)能支持更多通道，被視作面向高性能筆記本和服務(wù)器的下一代理想封裝方案。

根據(jù)規(guī)劃，DDR6將于2026年完成平臺(tái)認(rèn)證，2027年率先在服務(wù)器市場(chǎng)商用，隨后向高端筆記本等消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)擴(kuò)展。雖然延續(xù)了DDR5從服務(wù)器/HPC領(lǐng)域逐步滲透的路徑，但業(yè)界預(yù)計(jì)AI與高性能計(jì)算（HPC）的爆發(fā)將加速DDR6普及進(jìn)程。由于采用尖端集成技術(shù)，DDR6初期價(jià)格或?qū)⑴c2021年DDR5上市時(shí)相當(dāng)。預(yù)計(jì)首批客戶將集中在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和AI研究機(jī)構(gòu)等對(duì)極致性能有剛性需求的領(lǐng)域。