是一種電可擦除可編程只讀存儲器（Electrically Erasable ProgrammableRead Only Memory，EEPROM），具有非易失、讀寫速度快、抗震、低功耗、體積小等特性，目前己廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、航空航天、消費電子等領(lǐng)域。

       閃存通過電荷存儲信息，每個存儲單元可以存儲一個或多個比特的數(shù)據(jù)。在寫入數(shù)據(jù)時，閃存通過向存儲單元施加高電壓來改變其電荷狀態(tài)，從而記錄數(shù)據(jù)。讀取數(shù)據(jù)時，閃存則通過檢測存儲單元的電荷狀態(tài)來確定數(shù)據(jù)值。在特定的電壓作用下，電子被注入或移出浮置柵極，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入和擦除。

       閃存存儲器主要分為NOR型和型兩種，NOR型閃存有獨立的地址線和數(shù)據(jù)線，它支持按位進行訪問，具有高可靠性且隨機讀取速度較快，但NOR閃存的擦除和寫操作速度較慢、容量小、價格昂貴，主要用于存儲程序代碼并在內(nèi)存中直接運行。NOR閃存在手機上得到了廣泛的應(yīng)用。NAND閃存相對于NOR型閃存擁有更大的容量，適合進行數(shù)據(jù)存儲。

       此外，它類似于傳統(tǒng)的機械硬盤，對于小數(shù)據(jù)塊的操作較慢，對于大數(shù)據(jù)塊操作較快。NAND閃存根據(jù)其芯片單元所能存儲的比特位數(shù)又可分為單級晶胞(SLC)和多級晶胞(MLC)兩類。MLC技術(shù)具有顯著的存儲密度優(yōu)越性，相對于SLC每個單元僅能存儲1位比特，MLC可以存儲多位比特，但MLC在速度和可靠性方面還有一定的提升空間。

       一個NAND型閃存芯片通常由若干個塊組成，每個塊又由若干頁組成。例如，容量為1GB的三星K9WAG08U1AQ)閃存芯片包含8192個塊，每個塊由64個頁組成，每一個頁由數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)組成，2KB的數(shù)據(jù)區(qū)用于存儲用戶數(shù)據(jù)，64B的備用區(qū)用來存儲校驗、邏輯頁地址等信息。閃存具備讀、寫和擦除3種操作，頁是閃存的基本讀寫單位，重寫數(shù)據(jù)前必須進行擦除，擦除操作以塊為單位，執(zhí)行時間和能耗遠高于讀寫操作。在頁被擦除前，SLC型閃存可以對同一個數(shù)據(jù)頁進行多次寫操作，最小寫單元為512個字節(jié)。閃存芯片的讀寫方式與磁盤截然不同，二者的I/O操作性能對比如下：

總的來說，閃存不同于磁盤的特性包括以下幾點：

(1)無機械延遲，作為一種純電子設(shè)備，閃存沒有機器延遲，隨機訪問和順序訪問的開銷相當，具有很高的隨機讀性能；

(2)讀寫不對稱，閃存對不同類型訪問操作表現(xiàn)的性能差別很大，一般來說，讀速度很快，寫入數(shù)據(jù)時，因為需要通過加壓的方式對存儲單元進行電子填充，所以速度較慢；

(3)異位更新。與磁盤的原位更新不同，對閃存數(shù)據(jù)進行重寫需要先執(zhí)行擦除操作，即便是只更新數(shù)據(jù)塊中的一條數(shù)據(jù)也需要將整個塊擦除，頻繁的擦除操作會使系統(tǒng)性能顯著降低。因此，閃存設(shè)備在更新數(shù)據(jù)時并不會直接在原位進行更新，而是先將原數(shù)據(jù)置為無效，然后把修改后的數(shù)據(jù)寫到一個新的空閑頁；

(4)擦除次數(shù)有限，閃存芯片的塊擦除次數(shù)是有限制的，通常SLC閃存支持10萬次擦除操作，MLC閃存數(shù)據(jù)存儲密度高，可擦除次數(shù)在1萬次左右，超過一定擦除次數(shù)的閃存單元將不再可用；

(5)低能耗。與磁盤相比，閃存的能耗更低，每GB讀數(shù)據(jù)能耗只有磁盤的2％，寫操作能耗不足磁盤的30％。

閃存的出現(xiàn)為建設(shè)綠色數(shù)據(jù)中心以及低能耗數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)提供了有力支持，閃存有比磁盤更加復雜的硬件特性，傳統(tǒng)的磁盤數(shù)據(jù)庫技術(shù)在閃存上并不適用，設(shè)計適用于閃存的結(jié)構(gòu)、算法和應(yīng)用是閃存數(shù)據(jù)管理必須要解決的一個重要問題。